2013年7月22日，作为新葡的京集团3512vip官网微电子学研究院和IEEE 电子器件协会（EDS）新葡的京集团3512vip官网分会的重要学术活动之一，IEEE微纳电子信息技术国际研讨会（IEEE EDS Mini-Colloquium on Advanced Technology of Micro & Nanoelectronics）在新葡的京集团3512vip官网微纳电子大厦一楼报告厅成功举行。

    研讨会汇聚了处于微纳电子研究前沿的四位国际知名学者。他们分别就各自的研究领域发表了精彩的演讲，并与听众进行了广泛的交流与讨论，让听众们受益匪浅。研讨会由新葡的京集团3512vip官网微电子学研究院院长黄如教授主持。

    来自University of Central Florida的ESD领域著名专家Juin J. Liou教授，以“Electrostatic Discharge (ESD) Protection in High-Voltage Si BiCMOS/BCD Technologies”为题，就应用于汽车电子的静电防护技术做了报告。来自Singapore University of Technology and Design的Kin-Leong Pey教授以“Are Breakdown and Recovery in Ultrathin Gate Dielectrics Similar to Resistive Switching? ”为题，就栅介质击穿以及与新型阻变存储器RRAM的联系进行了报告。来Arizona State University的Yu (Kevin) Cao教授，以“Hierarchical Exploration of Heterogeneous Memory Design”为题，就新型存储器的电路模型与设计进行了报告。来自比利时微电子中心（IMEC）的Yangyin Chen博士，以“RRAM in the Past Decade: Technology Evolution and Market Application”，就新型阻变存储器RRAM的发展趋势和应用进行了报告。会后，与会的各位专家与部分听众合影留念。

（图为与会报告人与部分听众的合影。前排从左往右依次为：王润声副教授、蔡一茂副研究员、黄如教授、Yu Cao教授、Juin J. Liou教授、Kin-Leong Pey教授、Yangyin Chen博士）