近日，第54届国际固态器件与材料会议（SSDM 2022）以线上线下混合模式成功举行，北京集成电路高精尖创新中心主任黄如院士应邀做大会主旨报告（plenary），这是该著名会议历史上首次由来自中国大陆的学者进行大会报告。

黄如院士以《Booming architecture and device innovations for intelligent semiconductor era》为题，阐述了对于未来集成电路技术发展路径的观点，介绍了新葡的京集团3512vip官网课题组在支撑智能半导体时代创新“根技术”的新架构与新器件方面的最新研究进展，并提出了未来科研方向的关注点。

首先，黄院士在报告中介绍了“算力树”的概念。该概念脱胎于黄院士在组织国家自然基金重大研究计划“后摩尔时代新器件基础研究”时提出的框架，并于中科院第七届学术年会中进行了展示，此次SSDM大会报告中对此进行了全面的阐述。与传统“微缩半导体”相比，“智能半导体”技术生态是一颗算力与能量（功耗）按需分配的“算力树”，“树根”为新架构与新器件技术，为“树干”、“树枝”、“树叶”的不同应用需求提供了创新来源。

在该框架下，黄院士详细介绍了计算与存储融合的近存/存内计算架构、计算与传感融合的近传感计算架构的最新进展，并指出新架构对器件技术提出了新的要求。随后，分别从面向存内计算架构应用的低成本高能效存储器件、面向事件触发的近传感架构的超低漏电低成本逻辑器件、面向AI前置的近传感架构的高面积效率人工神经元单元等角度，详细介绍了新葡的京集团3512vip官网课题组在智能半导体技术方面的最新系列突破。

最后，黄院士进一步指出，当前的科研方向大多集中在能效（包括器件和架构等多个层面）、复杂度（包括架构和集成等多个层面）两个维度，在第三个维度——容错性方向也需进一步关注，从而三个维度形成合力，实现智能半导体时代的技术最终形态。

上述研究得到了国家自然基金重大研究计划、科技部重点研发计划、微纳电子器件与集成技术全国重点实验室、北京集成电路高精尖创新中心等项目和平台的支持。

背景链接：国际固态器件与材料会议（International Conference on Solid State Devices and Materials，SSDM）是集成电路基础技术领域历史悠久的著名会议，在集成电路器件与材料方向颇具影响力，历年的大会报告人来自Intel等半导体公司的产业界、诺贝尔奖得主在内的学术界以及IMEC为代表的顶尖实验室。