作为信息学院十周年院庆的系列学术活动之一，IEEE微纳电子信息技术国际研讨会（IEEE EDS Mini-Colloquium on Advanced Technology of Micro & Nanoelectronics）于2012年10月27日在新葡的京集团3512vip官网微纳电子大厦一楼报告厅圆满举行。

研讨会由信息学院副院长、微电子学研究院院长黄如教授主持，邀请了来自学术界和产业界的五位国际知名学者进行了精彩的演讲，并与一百余名听众进行了广泛的交流和讨论，得到了良好的效果。

来自美国国家测量标准与技术局（National Institute of Standards & Technology）的Kin P. Cheung博士，以“Random Telegraph Noise in Advanced MOSFETs - Another Brick Wall?”为题，就纳米尺度MOS器件中的随机电报噪声进行了报告。来自美国IBM的Chung Lam博士，以“Phase Change Memory: Replacement or Transformational”为题，就相变存储器这一新型半导体存储器进行了报告。来自清华大学（台湾）的Meng-Fan (Marvin) Chang教授，以“Circuit Design Challenges of Next-Generation Energy-Efficient Memory”为题，就半导体存储电路面临的挑战和应对做了报告。来自台湾大学的Chee Wee Liu教授，以“Planar and 3D Ge FETs”为题，就高迁移率锗基半导体器件进行了报告。来自美国亚利桑那州立大学的Yu (Kevin) Cao教授，以“Circuit Reliability Modeling and Simulation for Complex SoCs”为题，就大规模系统芯片的电路老化建模与仿真做了报告。会后，与会代表还参观了微电子学研究院的微米/纳米加工技术国家级重点实验室，并与部分听众合影留念。

（图为特邀报告人与部分听众的合影。前排从左往右依次为：黄如教授、Yu (Kevin) Cao教授、Chung Lam博士、Kin P. Cheung博士、Chee Wee Liu教授、Meng-Fan (Marvin) Chang教授。）